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【2023年广州“最美科技工作者”风采】游淑珍:推开中国“芯技术”之门

来源:广州市科学技术协会 发布时间:2023-06-14 浏览量:1702


科学,总是诞生在意想不到的地方,

它可以是一次奇思妙想,

它可以是一个偶然发现,

它也可以是在书桌前的一次次奋笔疾书,

在方寸之间,迸发磅礴力量。

一张书桌,就是一个星辰大海,

它背后容纳的,是科学家精神,

有埋首书桌的耐心 ,

也有勇攀高峰的决心。

敢为人先,自立自强,

勇立潮头,勇担重任,

广州科学家,用一平方米推开世界的门!


2023年广州最美科技工作者

游 淑 珍

西安电子科技大学广州研究院教授

中国宽禁带半导体氮化嫁功率器件领域研究领头人

游淑珍是中国宽禁带半导体氮化镓功率器件领域研究的领头人,面对美国的封锁,她坚定信念让中国拥有自己的“芯技术”,攻克研究领域诸多世界性难题,取得一系列全球里程碑式的创新成果,实现了大规模量产。她搭建了国内外科研合作的桥梁,与国内大学联合培养博士研究生,为中国宽禁带半导体及集成电路发展培养储备战略人才。


2008 年到2021 年,在世界顶级的微电子研究机构一一比利时欧洲微电子中心(IMEC),游淑珍教授度过了十余载海外求学工作的流金岁月。致力于宽禁带半导体氮化 (GaN)功率器件的技术研发和产业化制造,是埋藏在游淑珍心中的梦想,更是她月落日升,十余年孜孜努力的方向。


氮化 (GaN) 功率器件是第三代半导体材料的典型代表,是中国“十四五”规划中大力发展的核心技术产业。滴水穿石,聚沙成塔,游淑珍教授带领团队解锁了氮化(GaN)电力电子技术领域诸多世界性难题,取得了一系列在全球范围内都具有里程碑意义的科技创新成果。

  • 世界首个实现 CMOS 工艺兼容的 650V 电压等级、8 英寸直径的 GaN-on-Si 增强型 p-GaN 横向晶体管及其成套核心技术

  • 世界首个建立了全球首个 8 英寸、CMOS 工艺兼容 GaN-on-SOI 集成电路设计平台和制造工艺平台


彼时的游淑珍萌生了另一个梦想:回到祖国,让自己这棵大树生长在中国的大地上,让自己的尚方宝剑在中国核心技术产业发展的浪潮中发挥用武之处。心有灵犀,也双向奔赴。2018 年,时任国家总理李克强赴IMEC 访问时,与游淑珍教授进行了亲切交流,并鼓励和邀请游教授回国发展。2021 年初,几经波折,游淑珍终于回到祖国,加入由郝跃院士牵头建设的广州第三代半导体创新中心,投身于国内宽禁带半导体及集成电路攻坚克难的技术突破。

位于广州的宽禁带半导体国家工程研究中心,是2019年国家发改委专文批复的我国半导体领域关键工程之一,也是我国第三代新型半导体技术研究开发、成果转化、人才培养、科技合作与交流国家级研究基地。在这里,游淑珍教授与郝跃院士团队强强联手,致力于第三代半导体材料、器件与集成电路的工程化技术研发和产业化落地。重点建设第三代半导体器件和集成电路的设计、加工制造、封装、测试分析等研发、中试和产业化平台。同时加强战略人才培养,打造宽禁带半导体及集成电路设计和制造的“中国力量”!


学术上,游淑珍是治学严谨严苛的导师;生活上,游淑珍是体贴周到的朋友。有一次,游淑珍在校园里偶遇学生突然急病晕倒在路边,她赶忙与另一位学生一起将生病的孩子紧急送医,游淑珍一边安抚学生的情绪联系辅导员,一边联系警车援助开道,第一时间将学生送到医院。事后,游教授婉拒了学院和家长的感谢,因为她觉得,遇到这种紧急情况,任何人都会出手相助,自己当然在所不辞。

时光荏苒间,青丝显白色。虽已过不惑之年,但中国蓬勃发展的科技产业让游淑珍觉得,自己始终处于事业上的“青春期”。如今,中国第三代半导体电子器件的发展已经步入国际先进行列,在这趟疾驰的科技列车上,游淑珍始终是那个凝心聚力的领路人,也依然是那个初心不变的追梦人!

2023年广州“最美科技工作者”学习宣传活动由市科协、市委宣传部、市科技局共同主办。


此次遴选的“最美科技工作者”长期奋战在科研与科普一线,来自高校、科研院所、科技企业、医院、新型研发机构等单位,具有广泛的先进性、代表性和影响力。他们面向世界科技前沿、面向经济主战场、面向国家重大需求、面向人民生命健康。

活动大力弘扬科学家精神,团结引导广大科技工作者厚植家国情怀、勇于创新争先,争做高水平科技自立自强排头兵,汇聚引领发展、驱动复兴的不竭动力。


每一次科学探索,都始于一平米的书桌。


敬请关注下一位2023年广州“最美科技工作者”的风采......